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論文

Steam annealing effects on CV characteristics of MOS structures on (11$$bar{2}$$0) face of 4H-SiC

吉川 正人; 大島 武; 伊藤 久義; 高橋 邦方*; 北畠 真*

Materials Science Forum, 353-356, p.635 - 638, 2001/00

nタイプ4H-SiC基板の(11-20)及び(1-100)面上に成長させたエピ膜を1100$$^{circ}$$Cで1時間酸化して、約50nmの酸化膜を作製後、800$$^{circ}$$C、850もしくは950$$^{circ}$$Cで3時間水蒸気中でアニーリングした。その後金蒸着を行って(11$$bar{2}$$0)及び(1$$bar{1}$$00)面上にMOS構造を形成した。CV特性をこれらMOS構造に対して測定し、伝導体近傍の界面準位密度(Dit)並びに界面準位総量(Nit)を求めた。この結果、(11$$bar{2}$$0)面では界面準位総量が水蒸気アニーリングによって減少することがわかった。特に伝導体近傍では、界面準位密度のエネルギー分布が変化し、界面準位密度の低下が認められた。

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